AOTF2N60参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOTF2N60概述

TO-220F N-CH 600V 2A

N-Channel 600V 2A Tc 31W Tc Through Hole TO-220-3F

得捷:
MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3F

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin3+Tab TO-220F

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

AOTF2N60中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 31W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 2A

输入电容Ciss 325pF @25VVds

额定功率Max 31 W

耗散功率Max 31W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： AOTF2N60

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：TO-220F N-CH 600V 2A