AOTF3N100

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AOTF3N100概述

TO-220F N-CH 1000V 2.8A

N-Channel 1000V 2.8A Tc 38W Tc TO-220-3F


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220-3F


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.8A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1V; 1.8A; TO220F


Win Source:
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220F


AOTF3N100中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 38W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 2.8A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 830pF @25VVds

额定功率Max 38 W

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买AOTF3N100
型号: AOTF3N100
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:TO-220F N-CH 1000V 2.8A

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