AOTF10N90参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOTF10N90概述

TO-220F N-CH 900V 10A

N-Channel 900V 10A Tc 50W Tc Through Hole TO-220-3F

得捷:
MOSFET N-CH 900V 10A TO220-3F

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 10A 3-Pin3+Tab TO-220F

Win Source:
MOSFET N-CH 900V 10A TO220F

AOTF10N90中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 50W Tc

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 105 ns

输入电容Ciss 3160pF @25VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 84 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买AOTF10N90

型号： AOTF10N90

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：TO-220F N-CH 900V 10A