AOTF10N60概述
600V,10A,N沟道MOSFET
二极管与整流器
立创商城:
N沟道 600V 10A
得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220F
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220F
力源芯城:
600V,10A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
AOTF10N60中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 66 ns
输入电容Ciss 1600pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 64 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
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