MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道互补型 10.6V - 500mW 表面贴装型 8-SOIC
得捷: MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC
DeviceMart: MOSFET N/P-CH 13.2V 8SOIC
漏源极电阻 500 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 500 mW
漏源极电压Vds 10.6 V
漏源击穿电压 ±12.0 V
栅源击穿电压 13.2 V
输入电容Ciss 3pF @5VVds
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册