PDIP N-CH 10.6V
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)配对 10.6V 12mA,3mA 500mW 通孔 8-PDIP
得捷: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
贸泽: MOSFET Dual EPADR N-Ch
DeviceMart: MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP
漏源极电阻 500 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
漏源极电压Vds 10.6 V
漏源击穿电压 10.0 V
栅源击穿电压 10.6 V
连续漏极电流Ids 12.0 mA
输入电容Ciss 2.5pF @5VVds
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
安装方式 Through Hole
封装 DIP-8
工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册