AOI418

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AOI418概述

TO-251A N-CH 30V 36A

General Description

The AOD418/ uses advanced trench technology to provide excellent RDSON, low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the DPAK/IPAK package, this device is well suited for high current load applications.

Product Summary

  VDS                    30V

  ID at VGS= 10V       36A

  RDSON at VGS= 10V   < 7.5mΩ

  RDSON at VGS = 4.5V < 11mΩ

  100% UIS Tested

  100% Rg Tested

AOI418中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta, 50W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 36A

上升时间 2 ns

输入电容Ciss 1380pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 3.5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOI418
型号: AOI418
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:TO-251A N-CH 30V 36A

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