ALD111933MAL参数规格_中文资料_数据手册PDF

ALD111933MAL概述

MSOP N-CH 10.6V

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）配对 10.6V - 500mW 表面贴装型 8-MSOP

得捷:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP

DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP

ALD111933MAL中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 500 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 10.6 V

漏源击穿电压 10.0 V

栅源击穿电压 10.6 V

连续漏极电流Ids 6.90 mA

输入电容Ciss 2.5pF @5VVds

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ALD111933MAL

型号： ALD111933MAL

制造商： Advanced Linear Devices 先进线性电子

描述：MSOP N-CH 10.6V