ALD212900ASAL参数规格_中文资料_数据手册PDF

ALD212900ASAL概述

SOIC N-CH 10.6V 0.08A

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）配对 10.6V 80mA 500mW 表面贴装型 8-SOIC

得捷:
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

DeviceMart:
MOSFET N CH 10.6V 79A 8 SOIC

ALD212900ASAL中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

阈值电压 0 V

漏源极电压Vds 10.6 V

连续漏极电流Ids 0.08A

输入电容Ciss 30pF @5VVds

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

ALD212900ASAL引脚图与封装图

在线购买ALD212900ASAL

型号： ALD212900ASAL

制造商： Advanced Linear Devices 先进线性电子

描述：SOIC N-CH 10.6V 0.08A