ALD111933PAL参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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ALD111933PAL概述

PDIP N-CH 10.6V

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）配对 10.6V - 500mW 通孔 8-PDIP

得捷:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

ALD111933PAL中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

漏源极电阻 500 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 3.25 V, 3.25 V

漏源极电压Vds 10.6 V

漏源击穿电压 10.0 V

栅源击穿电压 10.6 V

连续漏极电流Ids 6.90 mA

输入电容Ciss 2.5pF @5VVds

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 PDIP-8

外形尺寸

封装 PDIP-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

ALD111933PAL引脚图与封装图

ALD111933PAL封装图

ALD111933PAL封装焊盘图

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型号： ALD111933PAL

制造商： Advanced Linear Devices 先进线性电子

描述：PDIP N-CH 10.6V