ALD114913SAL参数规格_中文资料_数据手册PDF

ALD114913SAL概述

SOIC N-CH 10.6V

Mosfet Array 2 N-Channel Dual Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 8-SOIC

得捷:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

DeviceMart:
MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC

ALD114913SAL中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 500 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 10.6 V

漏源击穿电压 10.0 V

栅源击穿电压 10.6 V

连续漏极电流Ids 12.0 mA

输入电容Ciss 2.5pF @5VVds

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

ALD114913SAL引脚图与封装图

在线购买ALD114913SAL

型号： ALD114913SAL

制造商： Advanced Linear Devices 先进线性电子

描述：SOIC N-CH 10.6V