ALD1116SAL概述
双N沟道配对 10.6V
MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）配对 10.6V - 500mW 表面贴装型 8-SOIC
得捷:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
立创商城:
双N沟道配对 10.6V
贸泽:
MOSFET Dual N-Channel Pair
DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 13.2V 4.8MA 8SOIC
ALD1116SAL中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
漏源极电阻 500 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 400 mV, 400 mV
漏源极电压Vds 10.6 V
漏源击穿电压 ±12 V
栅源击穿电压 13.2 V
连续漏极电流Ids 4.80 mA
输入电容Ciss 3pF @5VVds
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ALD1116SAL引脚图与封装图 
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