AO3413

P沟道,-20V,-3A,80mΩ@-4.5V

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.081Ω @-3A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.3--1V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.4W Description & Applications| Features VDS V = -20V ID = -3 A RDSON < 97mΩ VGS = -4.5V RDSON < 130mΩ VGS = -2.5V RDSON < 190mΩ VGS = -1.8V 描述与应用| VDS（V）=-30V ID=-2.6 A（VGS=-10V） RDS（ON） <130mΩ（VGS=-10V） RDS（ON） <200MΩ（VGS=-4.5V）

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P沟道 20V 3A

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MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3L

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Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 900mW; SOT23

Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23

Win Source:
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23