AOB12N65L参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOB12N65L概述

D2PAK N-CH 650V 12A

表面贴装型 N 通道 650 V 12A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）

得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A TO263

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
MOSFET NCH 650V 12A TO263

AOB12N65L中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 278W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 77 ns

输入电容Ciss 2150pF @25VVds

下降时间 63 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 278W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

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型号： AOB12N65L

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：D2PAK N-CH 650V 12A