DPAK N-CH 600V 11A
N-Channel 600V 11A Tc 208W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak
得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
艾睿:
Make an effective common source amplifier using this AOD11S60 power MOSFET from Alpha &a; Omega Semiconductor. Its maximum power dissipation is 208000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab TO-252
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab TO-252
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
极性 N-CH
耗散功率 208 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 545pF @100VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
AOD11S60 Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
AOB11S60L 万代半导体 | 功能相似 | AOD11S60和AOB11S60L的区别 |
NDD60N360U1-35G 安森美 | 功能相似 | AOD11S60和NDD60N360U1-35G的区别 |
IPB65R380C6 英飞凌 | 功能相似 | AOD11S60和IPB65R380C6的区别 |