ALD1108EPCL概述
MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10V 600mW Through Hole 16-PDIP
得捷:
MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
贸泽:
MOSFET Quad EPADR Prog
ALD1108EPCL中文资料参数规格
技术参数
通道数 4
漏源极电阻 500 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 600 mW
阈值电压 990 mV
漏源极电压Vds 10 V
漏源击穿电压 10.0 V
栅源击穿电压 10.6 V
连续漏极电流Ids 12.0 mA
输入电容Ciss 25pF @5VVds
额定功率Max 600 mW
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 PDIP-16
外形尺寸
封装 PDIP-16
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ALD1108EPCL引脚图与封装图 
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