ALD114804SCL参数规格_中文资料_数据手册PDF

ALD114804SCL概述

SOIC N-CH 10.6V

MOSFET - 阵列 4 N 沟道，配对 10.6V 12mA，3mA 500mW 表面贴装型 16-SOIC

得捷:
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

DeviceMart:
MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC

ALD114804SCL中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 500 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 10.6 V

漏源击穿电压 10.0 V

栅源击穿电压 10.6 V

连续漏极电流Ids 12.0 mA

输入电容Ciss 2.5pF @5VVds

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-16

外形尺寸

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

ALD114804SCL引脚图与封装图

在线购买ALD114804SCL

型号： ALD114804SCL

制造商： Advanced Linear Devices 先进线性电子

描述：SOIC N-CH 10.6V