ALD210802PCL参数规格_中文资料_数据手册PDF

ALD210802PCL概述

SOIC N-CH 10.6V 0.08A

Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 16-PDIP

得捷:
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

贸泽:
MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210802PCL中文资料参数规格

技术参数

通道数 4

漏源极电阻 25 Ω

极性 N-CH

耗散功率 500 mW

阈值电压 0.2 V

漏源极电压Vds 10.6 V

漏源击穿电压 10 V

连续漏极电流Ids 0.08A

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 PDIP-16

外形尺寸

封装 PDIP-16

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： ALD210802PCL

制造商： Advanced Linear Devices 先进线性电子

描述：SOIC N-CH 10.6V 0.08A