AOT12N65参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOT12N65概述

650V,12A,N沟道MOSFET

通孔 N 通道 650 V 12A（Tc） 278W（Tc） TO-220

得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin3+Tab TO-220

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; TO220

力源芯城:
650V,12A,N沟道MOSFET

Win Source:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220

AOT12N65中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 278W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 77 ns

输入电容Ciss 2150pF @25VVds

额定功率Max 278 W

下降时间 63 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 278W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： AOT12N65

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：650V,12A,N沟道MOSFET