N沟
表面贴装型 N 通道 18A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），29W（Tc） 8-DFN（3x3）
得捷:
MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8DFN
立创商城:
N沟道 30V 18A 停产
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin DFN EP
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 12W; DFN8
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
额定功率 12 W
极性 N-CH
耗散功率 3.1W Ta, 29W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 40A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 2120pF @15VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 10.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 29W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DFN-8
封装 DFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
AON7426 Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
AON7422 万代半导体 | 功能相似 | AON7426和AON7422的区别 |