ALD110800APCL

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ALD110800APCL概述

PDIP N-CH 10.6V

GENERAL DESCRIPTION

ALD110800A/ALD110800/ALD110900A/ALD110900 are high precision monolithic quad/dual N-Channel MOSFETs matched at the factory using ALD’s proven EPAD CMOS technology. These devices are members of the EPAD® Matched Pair MOSFET Family.

FEATURES

• Precision zero threshold voltage mode

• Nominal RDSON@VGS=0.00V of 104KΩ

• Matched MOSFET to MOSFET characteristics

• Tight lot to lot parametric control

• VGSth match VOS to 2mV and 10mV max.

• Positive, zero, and negative VGSthtempco

• Low input capacitance

• Low input/output leakage currents

ALD110800APCL中文资料参数规格
技术参数

通道数 4

漏源极电阻 500 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 10 mV

漏源极电压Vds 10.6 V

漏源击穿电压 10.0 V

栅源击穿电压 10.6 V

连续漏极电流Ids 12.0 mA

输入电容Ciss 2.5pF @5VVds

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-16

外形尺寸

封装 DIP-16

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

ALD110800APCL引脚图与封装图
ALD110800APCL引脚图
ALD110800APCL封装图
ALD110800APCL封装焊盘图
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型号: ALD110800APCL
制造商: Advanced Linear Devices 先进线性电子
描述:PDIP N-CH 10.6V

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