AOD5N50

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AOD5N50概述

500V,5A,N沟道MOSFET

表面贴装型 N 通道 500 V 5A(Tc) 104W(Tc) TO-252(DPAK)


得捷:
MOSFET N-CH 500V 5A TO252


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 104W; TO252


力源芯城:
500V,5A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 5A TO252


AOD5N50中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 104W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 5A

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 670pF @25VVds

额定功率Max 104 W

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOD5N50
型号: AOD5N50
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:500V,5A,N沟道MOSFET
替代型号AOD5N50
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AOD5N50

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

当前型号

当前型号

FDD5N50NZTM

飞兆/仙童

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AOD5N50和FDD5N50NZTM的区别

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