TO-262 N-CH 650V 25A
通孔 N 通道 25A(Tc) 357W(Tc) TO-262
得捷:
MOSFET N-CH 650V 25A TO262
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin3+Tab TO-262 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; TO262
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 25A TO262
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 25A TO262
极性 N-CH
耗散功率 357W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 25A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1278pF @100VVds
额定功率Max 357 W
下降时间 34 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 357W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free