AOI2N60A参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOI2N60A概述

TO-251A N-CH 600V 2A

N-Channel 600V 2A Tc 57W Tc Through Hole TO-251A

得捷:
MOSFET N-CH 600V 2A TO251A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin3+Tab TO-251A Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 2A

AOI2N60A中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 57W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 2A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 295pF @25VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 57W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

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型号： AOI2N60A

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：TO-251A N-CH 600V 2A