DFN N-CH 30V 25A
General Description
The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDSON with low gate charge. This device is suitable for use in SMPS and general purpose applications.
Product Summary
VDS 30V
ID at VGS=10V 25A
RDSON at VGS=10V < 17mΩ
RDSON at VGS=4.5V < 23mΩ
Typical ESD protection HBM Class 2
100% UIS Tested
100% Rg Tested
额定功率 6 W
极性 N-CH
耗散功率 3.1W Ta, 15.5W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 25A
上升时间 3.5 ns
输入电容Ciss 888pF @15VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 3.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 15.5W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DFN-8
封装 DFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
AON7406 Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 | 当前型号 | 当前型号 |