TO-262 N-CH 650V 11A
通孔 N 通道 650 V 11A(Tc) 198W(Tc) TO-262
得捷: MOSFET N-CH 650V 11A TO262
艾睿: Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-262
TME: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; TO262
DeviceMart: MOSFET N-CH 650V 11A TO262
极性 N-CH
耗散功率 198W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 11A
输入电容Ciss 646pF @100VVds
额定功率Max 198 W
耗散功率Max 198W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册