AOW11S65

AOW11S65图片1
AOW11S65图片2
AOW11S65图片3
AOW11S65图片4
AOW11S65图片5
AOW11S65概述

TO-262 N-CH 650V 11A

通孔 N 通道 650 V 11A(Tc) 198W(Tc) TO-262


得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO262


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-262


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; TO262


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 11A TO262


AOW11S65中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 198W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 11A

输入电容Ciss 646pF @100VVds

额定功率Max 198 W

耗散功率Max 198W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOW11S65
型号: AOW11S65
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:TO-262 N-CH 650V 11A

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台