AOB11S65L概述
D2PAK N-CH 650V 11A
表面贴装型 N 通道 650 V 11A（Tc） 198W（Tc） TO-263（D2Pak）
得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO263
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 198W; TO263
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 11A TO263
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 11A TO263
AOB11S65L中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 198W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 646pF @100VVds
额定功率Max 198 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 198W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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