-30V,-3A,P沟道MOSFET
表面贴装型 P 通道 3A(Ta) 550mW(Ta) 4-AlphaDFN(1.57x1.57)
得捷:
MOSFET P-CH 30V 3A 4ALPHADFN
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin MCSP
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 550mW; DFN4
力源芯城:
-30V,-3A,P沟道MOSFET
额定功率 0.55 W
极性 P-CH
耗散功率 550mW Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1327pF @15VVds
额定功率Max 550 mW
下降时间 62 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 550mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 XFBGA-4
封装 XFBGA-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅