AOU2N60

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AOU2N60概述

TO-251A N-CH 600V 2A

General Description

The AOD2N60 & have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing low RDSon, Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline power supply

designs.

VDS                               700V@150℃

ID at VGS=10V               2A

RDSON at VGS=10V     < 4.4Ω

AOU2N60中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 56.8W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 2A

输入电容Ciss 325pF @25VVds

额定功率Max 56.8 W

耗散功率Max 56.8W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOU2N60
型号: AOU2N60
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:TO-251A N-CH 600V 2A
替代型号AOU2N60
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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