AON6792参数规格_中文资料_数据手册PDF

AON6792概述

N沟道 30V 44A 85A

N-Channel 30V 44A Ta, 85A Tc 6.2W Ta, 48W Tc Surface Mount 8-DFN 5x6

得捷:
MOSFET N-CH 30V 44A/85A 8DFN

立创商城:
N沟道 30V 85A 44A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 44A 8-Pin DFN EP T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 44A DFN

AON6792中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 6.2W Ta, 48W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 44A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 3110pF @15VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6.2W Ta, 48W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AON6792

型号： AON6792

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：N沟道 30V 44A 85A