AOB11N60L参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOB11N60L概述

D2PAK N-CH 600V 11A

N-Channel 600V 11A Tc 272W Tc Surface Mount TO-263 D²Pak

得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A TO263

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 11A TO263

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A TO263

AOB11N60L中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 272W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 58 ns

输入电容Ciss 1990pF @25VVds

下降时间 42 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 272W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

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型号： AOB11N60L

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：D2PAK N-CH 600V 11A