AOTF11S60L参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOTF11S60L概述

TO-220F N-CH 600V 11A

通孔 N 通道 11A（Tc） 38W（Tc） TO-220-3F

得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220F

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220F

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220F

AOTF11S60L中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 38 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 545pF @100VVds

额定功率Max 38 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOTF11S60L

型号： AOTF11S60L

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：TO-220F N-CH 600V 11A

立即咨询

替代型号AOTF11S60L

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
AOTF11S60L Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体	当前型号	当前型号
AOI11S60 万代半导体	功能相似	AOTF11S60L和AOI11S60的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

AOTF11S60L

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

当前型号

AOI11S60

万代半导体

功能相似

AOTF11S60L和AOI11S60的区别