AOW10T60P

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AOW10T60P概述

TO-262 N-CH 600V 10A

N-Channel 600V 10A Tc 208W Tc Through Hole TO-262


得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO262


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.6A; TO262


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A 5DFB


AOW10T60P中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 208W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 54 ns

输入电容Ciss 1595pF @100VVds

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买AOW10T60P
型号: AOW10T60P
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:TO-262 N-CH 600V 10A

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