N沟道 30V 28A
表面贴装型 N 通道 30 V 25A(Ta),28A(Tc) 3.1W(Ta),32W(Tc) 8-DFN-EP(3x3)
得捷:
MOSFET N-CH 30V 25A/28A 8DFN
立创商城:
N沟道 30V 28A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin DFN-A EP
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 12.8W; DFN8
额定功率 12.8 W
极性 N-CH
耗散功率 3.1W Ta, 32W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 28A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 2250pF @15VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 11.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 32W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DFN-8
封装 DFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free