-30V,-2.6A,155mΩ,P沟道MOSFET
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.6A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.102Ω @-2.6A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.6--1.4V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.4W Description & Applications| Features VDS V = -30V ID = -2.6 A VGS = -10V RDSON < 130mΩ VGS = -10V RDSON < 180mΩ VGS = -4.5V RDSON < 260mΩ VGS = -2.5V 描述与应用| VDS（V）=-30V ID=-2.6 A（VGS=-10V） RDS（ON）<130mΩ（VGS=-10V） RDS（ON） <180mΩ（VGS=-4.5V） RDS（ON） <260mΩ（VGS=-2.5V）
额定功率 0.9 W
极性 P-CH
耗散功率 1.4 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 2.6A
上升时间 3.5 ns
输入电容Ciss 315pF @15VVds
额定功率Max 1.4 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.4W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
AO3403 Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
AO3409 万代半导体 | 类似代替 | AO3403和AO3409的区别 |
NDS332P 飞兆/仙童 | 功能相似 | AO3403和NDS332P的区别 |
NDS356AP 飞兆/仙童 | 功能相似 | AO3403和NDS356AP的区别 |