AOW12N60

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AOW12N60概述

TO-262 N-CH 600V 12A

通孔 N 通道 12A(Tc) 278W(Tc) TO-262


得捷:
MOSFET N-CH 600V 12A TO262


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-262


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO262


AOW12N60中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 278W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 12A

输入电容Ciss 2100pF @25VVds

额定功率Max 278 W

耗散功率Max 278W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: AOW12N60
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:TO-262 N-CH 600V 12A

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