TO-262F N-CH 100V 30A
通孔 N 通道 100 V 7.8A(Ta),30A(Tc) 2.1W(Ta),33W(Tc) TO-262F
得捷:
MOSFET N-CH 100V 7.8A/30A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin3+Tab TO-262F
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 16W; TO262F
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 7.8A TO262F
额定功率 16 W
极性 N-CH
耗散功率 2.1W Ta, 33W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 3220pF @50VVds
额定功率Max 2.1 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 33W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free