AOD5B65M1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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AOD5B65M1概述

AOD5B65M1 编带

IGBT 650V 10A 69W Surface Mount TO-252

得捷:
IGBT 650V 5A TO252

立创商城:
69W 650V 10A

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 69000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R

AOD5B65M1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 69 W

耗散功率 69000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 195 ns

额定功率Max 69 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 69000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOD5B65M1

型号： AOD5B65M1

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：AOD5B65M1 编带