AOTF5B65M1参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOTF5B65M1概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3Pin3+Tab TO-220F Tube

IGBT - 通孔 TO-220

得捷:
IGBT 650V 5A TO220

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3-Pin3+Tab TO-220F Tube

TME:
Transistor: IGBT; 650V; 5A; 10W; TO220F

AOTF5B65M1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 25000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 195 ns

额定功率Max 25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买AOTF5B65M1

型号： AOTF5B65M1

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3Pin3+Tab TO-220F Tube