AOB15B65M1参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOB15B65M1概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 214000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R

IGBT 650V 30A 214W Surface Mount TO-263 D2Pak

得捷:
IGBT 650V 30A TO263

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 214000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

AOB15B65M1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 214 W

耗散功率 214000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 317 ns

额定功率Max 214 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 214000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买AOB15B65M1

型号： AOB15B65M1

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 214000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R