Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 36000mW 3Pin3+Tab TO-220F Tube
IGBT 650V 30A 36W Through Hole TO-220
得捷: IGBT 650V 15A TO220
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 36000mW 3-Pin3+Tab TO-220F Tube
额定功率 36 W
耗散功率 36000 mW
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 298 ns
额定功率Max 36 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 36000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
数据手册