AOK30B135W1参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOK30B135W1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT 1350V 60A 340W Through Hole TO-247

得捷:
IGBT 1350V 30A 170W TO247

艾睿:
1350V, 30A Alpha IGBT TM with Diode

Win Source:
IGBT 1350V 30A 170W TO247

AOK30B135W1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 340 W

耗散功率 340000 mW

击穿电压集电极-发射极 1350 V

额定功率Max 340 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 340000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOK30B135W1

型号： AOK30B135W1

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube