AO4618概述
SOIC N+P 40V 8A/7A
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 40V 8A，7A 2W 表面贴装型 8-SOIC
得捷:
MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOIC
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8-Pin SOIC T/R
TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary; 40/-40V; 6/-5.5A
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8-Pin SOIC T/R
Win Source:
MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOIC
AO4618中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.3 W
极性 N+P
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 8A/7A
输入电容Ciss 415pF @20VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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