AO4447A

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AO4447A概述

P沟 30V 17A

二极管与整流器


得捷:
MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC


立创商城:
P沟道 30V 17A


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the AO4447A power MOSFET, developed by Alpha &a; Omega Semiconductor. Its maximum power dissipation is 3100 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2W; SO8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 17A 8-SOIC


AO4447A中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2 W

极性 P-CH

耗散功率 3.1 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 17A

上升时间 280 ns

输入电容Ciss 5500pF @15VVds

额定功率Max 3.1 W

下降时间 830 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AO4447A
型号: AO4447A
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:P沟 30V 17A
替代型号AO4447A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

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