AO6602L概述
3.1A 30V 1个N沟道和1个P沟道
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道互补型 30V - 1.15W 表面贴装型 6-TSOP
得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
立创商城:
1个N沟道和1个P沟道 30V 3.1A
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.1A/2.7A 6-Pin TSOP T/R
DeviceMart:
MOSFET N/P-CH COMPL 30V 6-TSOP
Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
AO6602L中文资料参数规格
技术参数
极性 N+P
耗散功率 1150 mW
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3.1A/2.7A
输入电容Ciss 240pF @15VVds
额定功率Max 1.15 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.15 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
外形尺寸
高度 1.1 mm
封装 SOT-457
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买AO6602L