AOT10B65M2参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOT10B65M2概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 150000mW 3Pin3+Tab TO-220 Tube

IGBT 650V 20A 150W Through Hole TO-220

得捷:
IGBT 650V 10A TO220

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 150000mW 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

AOT10B65M2中文资料参数规格

技术参数

额定功率 150 W

耗散功率 150000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 262 ns

额定功率Max 150 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.14 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOT10B65M2

型号： AOT10B65M2

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 150000mW 3Pin3+Tab TO-220 Tube