Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 167000mW 3Pin2+Tab D2PAK
IGBT - 600 V 30 A 167 W 表面贴装型 TO-263(D2Pak)
得捷: IGBT 600V 30A 167W TO263
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin2+Tab D2PAK
额定功率 167 W
耗散功率 167000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 196 ns
额定功率Max 167 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 167000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
数据手册