AOB15B60D参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOB15B60D概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 167000mW 3Pin2+Tab D2PAK

IGBT - 600 V 30 A 167 W 表面贴装型 TO-263（D2Pak）

得捷:
IGBT 600V 30A 167W TO263

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin2+Tab D2PAK

AOB15B60D中文资料参数规格

技术参数

额定功率 167 W

耗散功率 167000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 196 ns

额定功率Max 167 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 167000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOB15B60D

型号： AOB15B60D

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 167000mW 3Pin2+Tab D2PAK