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AOTS40B65H1图片1

AOTS40B65H1概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300000mW Tube

IGBT - 通孔 TO-220

得捷:
IGBT 650V 40A TO220

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300000mW Tube

AOTS40B65H1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 300 W

耗散功率 300000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 300 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOTS40B65H1

型号： AOTS40B65H1

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300000mW Tube