Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 83000mW 3Pin3+Tab TO-220 Tube
IGBT 650V 10A 83W Through Hole TO-220
得捷: IGBT 650V 5A TO220
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 83000mW 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
额定功率 83 W
耗散功率 83000 mW
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 195 ns
额定功率Max 83 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
数据手册