AOI2N60

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AOI2N60概述

600V,2A,N沟道MOSFET

N-Channel 600V 2A Tc 56.8W Tc Through Hole TO-251A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 2A TO251A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin3+Tab TO-251A


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; 56.8W; TO251A


力源芯城:
600V,2A,N沟道MOSFET


AOI2N60中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 56.8W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 2A

输入电容Ciss 325pF @25VVds

额定功率Max 56.8 W

耗散功率Max 56.8W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOI2N60
型号: AOI2N60
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:600V,2A,N沟道MOSFET
替代型号AOI2N60
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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